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DDR-200:DDR-SDRAM 记忆芯片在 100MHz 下运行

DDR-266:DDR-SDRAM 记忆芯片在 133MHz 下运行

DDR-333:DDR-SDRAM 记忆芯片在 166MHz 下运行

DDR-400:DDR-SDRAM 记忆芯片在 200MHz 下运行(JEDEC制定的DDRZui高规格)

DDR-500:DDR-SDRAM 记忆芯片在 250MHz 下运行(非JEDEC制定的DDR规格)

DDR-600:DDR-SDRAM 记忆芯片在 300MHz 下运行(非JEDEC制定的DDR规格)

DDR-700:DDR-SDRAM 记忆芯片在 350MHz 下运行(非JEDEC制定的DDR规格)

芯片模块1926536697.jpg

为了要增加内存的容量和带宽,芯片会利用模块结合。例如,有关 DIMMs 的64位bus需要8个 8位的芯片并发处理。与常见的地址线(address lines)的多个芯片被称为memory rank。这个术语被引入,是要避免与芯片内部row和bank的混乱。

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PC-1600存储器{模块}指工作在 100MHz 下的DDR-200内存芯片,其拥有 1.600GB/s 的带宽

PC-2100存储器模块指工作在 133MHz 下的DDR-266内存芯片,其拥有 2.133GB/s 的带宽

PC-2700存储器模块指工作在 166MHz 下的DDR-333内存芯片,其拥有 2.667GB/s 的带宽

PC-3200存储器模块指工作在 200MHz 下的DDR-400内存芯片,其拥有 3.200GB/s 的带宽


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